1.主存和CPU之间增加高速缓存的目的是解决CPU和主存之间的速度匹配问题。

2.DRAM的刷新方式是常用刷新方式:

1)集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。特点:存在一段停止读/写操作的死时间 适用于高速存储器，

2)分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
特点:不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低,不存在死区。

3)异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

3.半导体RAM断电不能保持记忆，属于易失性RAM。

4.SRAM成本比较高，DRAM成本较低(1个场效应管加一个电容)。SRAM存取速度比较快，DRAM存取速度较慢(电容充放电时间)。SRAM一般用在高速缓存中，DRAM一般用在内存条里。

5.存储器的3个主要性能指标是存储容量，存取速度和每位价格。

6.EPROM（可擦除可编程只读存储器）是可以改写的只读存储器。

7.微型计算机中的内存储器，通常采用半导体存储器。

8.微型计算机中的性能指标中，内存储器的容量通常是指ROM和RAM容量的总合。

9.可用于寄存器间接寻址的寄存器为BX,BP,DI和SI

10.全相联映像就是让主存中任何一个块均可以映射装入到 Cache中任何一个块的位置上,这种映像方式可以从已被占满的 Cache中替换出任意一个旧块。这种映像方式比较灵活,Cache的块冲突概率最低,空间利用率最高,但是地址变换速度慢

        直接相联映像是指主存中的每一个块只能被装入到Cahe中唯一的一个指定位置,若这个位置已有内容,则产生块冲突,此位置上原有的块内容将无条件地被替换出去。此时,即使Cache中还有许多其他位置空着也不能占用,使 Cache的存储空间得不到充分的利用。

11.TEST:Test命令将两个操作数进行逻辑与运算，并根据运算结果设置相关的标志位。但是，Test命令的两个操作数不会被改变。运算结果在设置过相关标记位后会被天弃。
OR或;OR AL，AL不会改变寄存器中的内容。
CMP:为第一个操作减去第二个操作数,但不影响第两个操作数的值。
AND与;0与任何数相与都为零。

12.统一编址:不需要专用的I/O指令。

13.CPU对存储器或者I/O端口完成一次读/写操作所需要的时间称为一个总线周期。

14.8086微处理器连续两次读/写操作允许的最短时间间隔称为存取周期。

15.Cache中存放的是主存储器中一部分信息的映像。

        在 Cache中,地址映像是指把主存地址空间映像到 Cache地址空间,也就是把存放在主存中的信息按照某种规则装入 Cache中。 Cache与主存之间的信息基本传送单位是块。

        地址映像的方式有全相联映像、直接相联映像和组相联映像三种。

        组相联映射是全相联映射和直接映射的一种折中方案，有利于提高命中率，这种方案将存储空间分为若干组，各组间是直接映射，而组内各块间是全相连映射>

16.存储容量=存储单元个数✖存储字长

17.Pentium系统在保护模式下，每个程序都拥有它自己的存储空间以及段描述符。采用门描述符的作用是控制访问的目标代码段的入口点。程序段描述符中特权级字符DPL的作用是定义程序段的特权级别。段描述符中S字段的作用是区分该段描述符是系统描述符还是非系统段描述符。

18.提高存储器的带宽的措施：缩短存取周期；增加存储字长；增加存储体。

19.可以多次编程的只读存储器：EPROM可擦除可编程只读存储器;EEPROM可用电可擦除可编程只读存储器。

20.静态随机存储器依靠触发器原理存储信息。动态随机存储器依靠电容存储信息，需要定时刷新。动态随机存储器中的内容断电丢失。